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| 规格书 |
 IPB180N04S4-H0 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 1,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 40V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 180A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 1.1 mOhm @ 100A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4V @ 180µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 225nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 17940pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 250W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-7-3 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 7TO-263 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 40 V |
| 最大连续漏极电流 | 180 A |
| RDS -于 | 1.1@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 44 ns |
| 典型上升时间 | 24 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 50 ns |
| 典型下降时间 | 49 ns |
| 工作温度 | -55 to 175 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| P（ TOT ） | 250W |
| 匹配代码 | IPB180N04S4-H0 |
| R（ THJC ） | 0.5K/W |
| LogicLevel | NO |
| 单位包 | 1000 |
| 标准的提前期 | 18 weeks |
| 最小起订量 | 1000 |
| Q（克） | 225nC |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| 汽车 | AEC-Q(100) |
| 我（D ） | 180A |
| V（ DS ） | 40V |
| 技术 | OptiMOS |
| 的RDS（on ） at10V | 0.0011Ohm |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 180A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 180µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 40V |
| 供应商设备封装 | PG-TO263-7-3 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 1.1 mOhm @ 100A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 250W |
| 封装/外壳 | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 17940pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 225nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | 20 V |
| 连续漏极电流 | 180 A |
| 系列 | IPB180N04 |
| RDS（ON） | 1.1 mOhms |
| 功率耗散 | 250 W |
| 下降时间 | 49 ns |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 零件号别名 | IPB180N04S4H0ATMA1 SP000711248 |
| 上升时间 | 24 ns |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 漏源击穿电压 | 40 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 栅极电荷Qg | 173 nC |
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